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產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: STMicroelectronics
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: ?詳細信息
晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Id-連續(xù)漏極電流: 4 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 65 V
工作頻率: 1 GHz
增益: 13 dB
輸出功率: 30 W
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: M250
封裝: Bulk
商標: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
正向跨導 - 最小值: 1.8 S
高度: 3.94 mm
長度: 9.91 mm
Pd-功率耗散: 74 W
產品類型: RF MOSFET Transistors
系列: SD57030-01
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: LDMOS FET
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: + 20 V
寬度: 6.09 mm
單位重量: 880 mg
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