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IKD10N60RC2ATMA1晶體管 IGBT 溝槽型場截止 600 V 18.8 A 79 W 表面貼裝型 PG-TO252-3

2025-1-2 10:24:00
  • IKD10N60RC2ATMA1晶體管 IGBT

IKD10N60RC2ATMA1晶體管 IGBT 溝槽型場截止 600 V 18.8 A 79 W 表面貼裝型 PG-TO252-3

零件狀態(tài)在售

IGBT 類型溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值)600 V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值)18.8 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)30 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,10A

功率 - 最大值79 W

開關能量320μJ(導通),170μJ(關斷)

輸入類型標準

柵極電荷48 nC

25°C 時 Td(開/關)值14ns/250ns

測試條件400V,10A,49 歐姆,15V

反向恢復時間 (trr)104 ns

工作溫度-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型表面貼裝型

封裝/外殼TO-252-3,DPAK(2 引線 +耳片),SC-63

供應商器件封裝PG-TO252-3

基本產品編號IKD10N