制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
發(fā)貨限制：
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RoHS:
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 45 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 14.4 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產(chǎn)品: MOSFET Small Signals
產(chǎn)品類型: GaN FETs
上升時(shí)間: 14.4 ns
系列: BSP125
1000
子類別: Transistors
技術(shù): GaN
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.7 ns
零件號(hào)別名: BSP125L6327HTSA1
單位重量: 112 mg
