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IPB031NE7N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPB031NE7N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?Optimizedtechnologyforsynchronousrectification ?IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?Qua

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPB031NE7N3 G

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINE0N
23+
TO-263
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INF
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TO-263
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絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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PG-TO263-3
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絕對原裝現(xiàn)貨
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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Infineon/英飛凌
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PG-TO263-3
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原裝現(xiàn)貨正品
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Infineon(英飛凌)
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NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
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更多IPB031NE7N3 G供應商 更新時間2025-1-26 11:06:00

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