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IPB057N15NM6

Marking：057N15N6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS? 6 Power?Transistor, 150 V

Features ?N?channel ?Verylowon?resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?100%avalanchetested ?Pb?freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen?freeaccordingtoIEC61249?2?21 ?MSL1classifiedaccordingtoJ?STD?020

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP057N15NM6

MOSFETOptiMOS?6Power?Transistor,150V

Features ?N?channel,normallevel ?Verylowon?resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?100%avalanchetested ?Pb?freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen?freeaccordingtoIEC61249?2?21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPB057N15NM6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 9:01:00

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