首頁>IPD180N10N>詳情

IPD180N10N_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3湘達(dá)電子

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    IPD180N10N

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    4800

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO252

  • 生產(chǎn)批號：

    2020+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-23 10:18:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IPD180N10N品牌：INFINEON/英飛凌

絕對全新原裝現(xiàn)貨,歡迎來電查詢

  • 芯片型號：

    IPD180N10N3G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    256.459 kb

  • 資料說明：

    OptiMOSTM3 Power-Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    IPD180N10N

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市湘達(dá)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張小姐,公司是一般納稅人,可開17增稅．

  • 手機(jī)：

    13266778686

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83229772/83202753

  • 傳真：

    0755-83203017

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

相近型號