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IPD20N03LG

Marking：20N03L；Package：PG-TO252-3；OptiMOS??Buck converter series

Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters ?Pb.freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU20N03L

OptiMOSBuckconverterseries

OptiMOSBuckconverterseries Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ME20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MI20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MTD20N03HDL

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator The34701providesthemeanstoefficientlysupplytheFreescalePowerQUICC?I,II,andotherfamiliesofFreescalemicroprocessorsandDSPs.The34701incorporatesahighperformanceswitchingregulator,providingthedirectsupplyforthemi

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MTD20N03HDL

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.035OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20N03HDL

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD20N03HDLG

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD20N03HDLT

PowerMOSFET20Amps,30Volts,LogicLevel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD20N03HL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數

  • 型號：

    IPD20N03LG

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IPD20N03LG供應商 更新時間2025-3-26 13:00:00

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