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IPD60R1K4C6中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
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廠商型號 |
IPD60R1K4C6 |
功能描述 | N-Channel MOSFET Transistor |
文件大小 |
336 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-1 12:16:00 |
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IPD60R1K4C6規(guī)格書詳情
? DESCRITION
? Fast switching
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤1.4?
? Enhancement mode:
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IPD60R1K4C6
- 功能描述:
MOSFET N-CH 650V 3.2A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-252 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
65300 |
一級代理/放心購買! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO-252 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO252-3 |
2500 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營)! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
20+ |
TO-252 |
16300 |
終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2022+ |
TO-252 |
57550 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
PG-TO252-3 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
22167 |
只做原裝假一賠十 |
詢價(jià) |