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060N03L

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

060N03L

N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

060N03LG

N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IIPD060N03L

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD060N03L

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD060N03L

30VN-ChannelMOSFET

Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Avalancherated ?Pb-freeplating

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IPD060N03LG

30VN-ChannelMOSFET

Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Avalancherated ?Pb-freeplating

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IPD060N03LG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesFastswitchingMOSFETforSMPS

OptiMOS?3Power-Transistor Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Avalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPF060N03LG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesFastswitchingMOSFETforSMPS

OptiMOS?3Power-Transistor Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Avalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPS060N03LG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesFastswitchingMOSFETforSMPS

OptiMOS?3Power-Transistor Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Avalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPU060N03L G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多IPU060N03L G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-4 10:50:00

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