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IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT6N03HD	文件：74.16 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHT6N03LT	文件：53.16 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT6N03T	文件：70.3 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SSM6N03FE	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications ?Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. ?CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. ?High-speedswitching. ?Housedinaultra-smallpackagewhichissui	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
SSM6N03FE	文件：147.48 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPUH6N03LB G
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市博浩通科技有限公司	IPUH6N03LBG	INFINEON	23+	TO251-3	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多IPUH6N03LB G供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 16:30:00

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