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09N03

25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES ?RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9m? ?RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12m? ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance ?SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

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09N03S

25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES ?RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9m? ?RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12m? ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance ?SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPU09N03LB G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
24+
TO251-3
8866
詢價
INFINEON
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TO215-3
5000
原裝正品,假一罰十
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TO251-3
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全新原裝現(xiàn)貨
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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INFINE0N
23+
TO-251
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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18+
TO215-3
32031
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票
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INFINEON/英飛凌
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授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
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更多IPU09N03LB G供應(yīng)商 更新時間2025-5-21 14:31:00

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