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ME20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MI20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTD20N03HDL

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator The34701providesthemeanstoefficientlysupplytheFreescalePowerQUICC?I,II,andotherfamiliesofFreescalemicroprocessorsandDSPs.The34701incorporatesahighperformanceswitchingregulator,providingthedirectsupplyforthemi

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MTD20N03HDL

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.035OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20N03HDL

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HDLG

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HDLT

PowerMOSFET20Amps,30Volts,LogicLevel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

NTD20N03

30VN-ChannelMOSFET

Features ?Ultra?LowRDS(on),SingleBase,AdvancedTechnology ?SPICEParametersAvailable ?DiodeisCharacterizedforuseinBridgeCircuits ?IDSSandV(on)SpecifiedatElevatedTemperatures ?HighAvalancheEnergySpecified TypicalApplications ?PowerSupplies ?InductiveLoads ?

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

NTD20N03G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPU20N03L G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINE0N
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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Infineon Technologies
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TO2513 Short Leads IPak TO251A
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Infineon Technologies
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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Infineon Technologies
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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TO-251
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
更多IPU20N03L G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-28 14:52:00

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