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IPUH6N03LAG

OptiMOS?2 Power-Transistor

OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPUH6N03LAG

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPUH6N03LB

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMDF6N03HD

PowerMOSFET6Amps,30Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF6N03HD

DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMFT6N03HD

TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PHT6N03LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHT6N03T

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SSM6N03FE

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications ?Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. ?CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. ?High-speedswitching. ?Housedinaultra-smallpackagewhichissui

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N03FE

HighSpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPUH6N03LA

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IPUH6N03LA供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 16:30:00

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