IRF3205Z中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRF3205Z規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF3205Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
原裝IR |
TO-220 |
1600 |
原裝長期供貨! |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
100038 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開13點(diǎn)稅 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
NA |
1820 |
只做原裝,一定有貨,不止網(wǎng)上數(shù)量,量多可訂貨! |
詢價(jià) | ||
IR |
19+ |
TO-263 |
74526 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) |
