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IRF5210SPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF5210SPBF_15	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210STRLPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210STRR	文件：207.79 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFG5210	文件：191.63 Kbytes Page：12 Pages	200V,Combination2N-2P-CHANNELHEXFETMOSFETTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFG5210	文件：192.64 Kbytes Page：12 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFH5210PBF	文件：239.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFH5210PBF	文件：244.58 Kbytes Page：9 Pages	SecondarySideSynchronousRectification	IRF International Rectifier	IRF
IRFH5210TRPBF	文件：239.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI5210	文件：159.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFM5210	文件：16.79 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN5210	文件：46.4 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET ?LowRDS(on)PowerMOSFETTransistor,FullyAvalancheRated ?HermeticCeramicSurfaceMountpackage ?DesignedForFastSwitchingApplications ?ScreeningOptionsAvailable	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
KSM5210	文件：655.22 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LC5210D	文件：601.62 Kbytes Page：15 Pages	LEDDrivers	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
LC5210D	文件：430.98 Kbytes Page：8 Pages	HybridIntegratedCircuit	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
LC5210D	文件：297.33 Kbytes Page：16 Pages	Off-LineLEDDriverICs	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
LPTC5210A	文件：166.99 Kbytes Page：3 Pages	Ultra-LowPDLFusedTapCoupler	OPLINK OPLINK Communications Inc.	OPLINK
LPTC5210P	文件：166.99 Kbytes Page：3 Pages	Ultra-LowPDLFusedTapCoupler	OPLINK OPLINK Communications Inc.	OPLINK

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詳細參數(shù)

型號：
IRF5210SPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市智芯遠電子有限公司	IRF5210SPBF	IR	21+	TO-263	5800	原裝正品現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市上美通科技有限公司	IRF5210SPBF	INFINEON/英飛凌	22+	TO263AB	8860000	原裝正品,歡迎來電咨詢	詢價
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更多IRF5210SPBF供應(yīng)商更新時間2024-12-23 14:18:00

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