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IRF5850TR	文件：134.47 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF5850TRPBF	文件：168.9 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
LC5850	文件：935.05 Kbytes Page：20 Pages	CMOSLSISINGLE-CHIP4-BITMICROCOMPUTERWITHLCDDRIVER CMOSLSISINGLE-CHIP4-BITMICROCOMPUTERWITHLCDDRIVER	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
LD5850	文件：398.77 Kbytes Page：11 Pages	BoostControllerforLEDBacklight	LEADTRENDLeadtrend Technology 通嘉科技通嘉科技(深圳)有限公司	LEADTREND
LD5850GS	文件：398.77 Kbytes Page：11 Pages	BoostControllerforLEDBacklight	LEADTRENDLeadtrend Technology 通嘉科技通嘉科技(深圳)有限公司	LEADTREND
LFCN-5850D	文件：300.45 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
LFCN-5850D+	文件：300.45 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
MJE5850	文件：114.2 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHMODESeriesPNPSiliconPowerTransistors TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: ?SwitchingRegulators ?Inverters ?SolenoidandR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJE5850	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modeSeriesPNPSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE5850	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPNPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: ?SwitchingRegulators ?Inverters ?SolenoidandR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJE5850	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh?voltage,high?speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.TheyareparticularlysuitedforlineoperatedSWITCHMODEapplications. Features ?SwitchingRegulators ?Inverters ?Solenoidan	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE5850	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE5850G	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE5850G	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modeSeriesPNPSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MPQ5850	文件：2.14752 Mbytes Page：29 Pages	36V,SmartDiodeControllerwithReverseProtection,AEC-Q100Qualified DESCRIPTION TheMPQ5850isasmartdiodecontrollerthat candriveanexternalN-channelMOSFETto replaceaSchottkydiodeforreverseinput protection.Thedevice’s20mVultra-lowdropout minimizespowerlossandenablesalow minimuminputvoltage,whichmakesthe MPQ5850well-suitedfor	MPSINDMPS Industries, Inc. 美國芯源	MPSIND
MPQ5850GJ	文件：2.14752 Mbytes Page：29 Pages	36V,SmartDiodeControllerwithReverseProtection,AEC-Q100Qualified DESCRIPTION TheMPQ5850isasmartdiodecontrollerthat candriveanexternalN-channelMOSFETto replaceaSchottkydiodeforreverseinput protection.Thedevice’s20mVultra-lowdropout minimizespowerlossandenablesalow minimuminputvoltage,whichmakesthe MPQ5850well-suitedfor	MPSINDMPS Industries, Inc. 美國芯源	MPSIND
MT5850_IR	文件：573.95 Kbytes Page：2 Pages	PeakEmissionWavelength:850nm	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MT5850-IR	文件：573.95 Kbytes Page：2 Pages	InfraredLED	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MT5850-IR	文件：573.95 Kbytes Page：2 Pages	PeakEmissionWavelength:850nm	Marktech Marktech Corporate	Marktech
NTE5850	文件：24.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,6Amp DescriptionandFeatures: TheNTE5850throughNTE5869arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ●HighSurgeCurrentCapability ●HighVoltageAvailable ●Designedfora	NTE NTE Electronics	NTE

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詳細參數(shù)

型號：
IRF5850TR
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF5850TR	IR	24+	SOT-163SOT-23-6	103500	新進庫存/原裝	詢價
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更多IRF5850TR供應(yīng)商更新時間2025-1-11 13:00:00

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