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IRF610SPBF

HEXFET? Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF610SPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF610STRLPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF610STRRPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI610B

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS610A

AdvencedPowerMOSFET(N-CHANNEL)

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS610A

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS610B

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features ?3.3A,200V,RDS(on)=1.5?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical7.2nC) ?LowCrss(typical6.8pF) ?Fastswitch

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFW610B

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRL610

AdvancedPowerMOSFET

BVDSS=200V RDS(on)=0.046? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):1.185?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF610SPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vishay Siliconix
24+
D2PAK(TO-263)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
VISHAY(威世)
23+
TO-263
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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28500
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣(mài)
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TO-263
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
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VBSEMI/臺(tái)灣微碧
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SMD-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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SMD
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23+
SMD-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
更多IRF610SPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 14:14:00

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