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IRF610SPBF	文件：1.87143 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF610SPBF	文件：237.79 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF610STRLPBFA	文件：237.79 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF610STRRPBFA	文件：237.79 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI610B	文件：660.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS610A	文件：257.8 Kbytes Page：7 Pages	AdvencedPowerMOSFET(N-CHANNEL) FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS610A	文件：59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS610B	文件：866.99 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features ?3.3A,200V,RDS(on)=1.5?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical7.2nC) ?LowCrss(typical6.8pF) ?Fastswitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFW610B	文件：660.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRL610	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):1.185?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRL610A	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):1.185?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRL610A	文件：280.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLI610A	文件：237.77 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=1.5? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLI610A	文件：274.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLS610A	文件：269.2 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLS610A	文件：264.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLW610A	文件：237.77 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=1.5? ID=3.3A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLW610A	文件：361.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IS610	文件：79.36 Kbytes Page：3 Pages	PHOTONCOUPLEDBILATERALANALOGFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

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詳細參數(shù)

型號：
IRF610SPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRF610SPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF610SPBF	VISHAY(威世)	23+	TO-263	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
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