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IRF630NS	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30? Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF630NS	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSTRLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSRPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF630NS
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRF630NS	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢(xún)價(jià)
深圳瞄鈞科技有限公司	IRF630NS	IR	24+	TO-220	48650	原裝正品特價(jià)現(xiàn)貨(香港新加坡日本)	詢(xún)價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF630NS	IR	23+	TO-263	9526		詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRF630NS	IR	17+	TO-263	6200		詢(xún)價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF630NS	IR	24+	D2-Pak	8866		詢(xún)價(jià)
深圳市富誠(chéng)威科技有限公司	IRF630NS	IR	24+	TO220	6800	絕對(duì)原裝!真實(shí)庫(kù)存!	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF630NS	IR	23+	D2-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRF630NS	IR	23+	TO-263	20000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IRF630NS	ir	24+	N/A	6980	原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF630NS	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)

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