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IRF634NPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF634NPBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
222.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 16:36:00 |
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IRF634NPBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF634NPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220 |
11000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
VishayIR |
24+ |
TO-220AB |
271 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO220 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
59405 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
IR |
1922+ |
TO-263 |
367 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
