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IRF634NPBF中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書

IRF634NPBF
廠商型號

IRF634NPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

222.71 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-23 16:30:00

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IRF634NPBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Ease of Paralleling

Simple Drive Requirements

Lead-Free

產品屬性

  • 型號:

    IRF634NPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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