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IRF640NPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
IRF640NPBF |
功能描述 | HEXFET? Power MOSFET |
文件大小 |
300.8 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-30 9:08:00 |
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IRF640NPBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRF640NPBF
- 功能描述:
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-220 |
9600 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
22+ |
TO-220 |
12800 |
原裝,現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
6000 |
全新原裝現(xiàn)貨、誠信經(jīng)營! |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO220 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
NA |
9990 |
只有原裝 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
59418 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
12800 |
只做現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
IR |
2020+ |
TO-220 |
22000 |
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫存 價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
10000 |
原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |