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IRF640STRLPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF640STRLPBF
廠商型號(hào)

IRF640STRLPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

2.11507 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 23:01:00

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IRF640STRLPBF規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the last lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF640L/SiHF640L) is available for low-profile applications.

FEATURES

? Surface Mount

? Low-Profile Through-Hole

? Available in Tape and Reel

? Dynamic dV/dt Rating

? 150 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF640STRLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
530
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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