IRF640S中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF640S |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
2.11507 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-23 16:12:00 |
| 人工找貨 | IRF640S價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF640S規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the last lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF640L/SiHF640L) is available for low-profile applications.
FEATURES
? Surface Mount
? Low-Profile Through-Hole
? Available in Tape and Reel
? Dynamic dV/dt Rating
? 150 °C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF640S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2403+ |
TO-263 |
6489 |
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詢價(jià) | ||
IR |
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TO-263 |
6200 |
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詢價(jià) | ||
IR |
2014+ |
10 |
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IR |
TO-263 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
23+ |
TO263 |
30 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
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VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
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