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IRF6618TR1中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
IRF6618TR1規(guī)格書(shū)詳情
● Application Specific MOSFETs
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Switching Losses
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with Existing Surface Mount Techniques
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF6618TR1
- 功能描述:
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
4000 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IOR |
23+ |
晶震 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
06+ |
SMD |
5000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
2000 |
20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MT |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
PLL |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IOR |
04+ |
晶震 |
2145 |
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
PLL |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
IOR |
23+ |
DIRECTFE |
4500 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) |