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IRF710B	文件：859.15 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF710PBF	文件：225.67 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF710PBF	文件：1.01954 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF710PBF	文件：159.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETFEATURES	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF710S	文件：168.08 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF710S	文件：181.34 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovid	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF710S	文件：219.19 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF710SPBF	文件：1.69044 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET 400VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI710B	文件：649.18 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS710A	文件：264.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS710B	文件：859.15 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFW710	文件：649.18 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFW710B	文件：649.18 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KM710N	文件：109.73 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableUnshieldedIFTCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM710N	文件：134.07 Kbytes Page：1 Pages	10mmADJUSTABLERFCOILS(UNSHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM710N-LFR	文件：109.73 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableUnshieldedIFTCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
LAA710	文件：181.58 Kbytes Page：6 Pages	DualPoleOptoMOSRelays	Clare Clare, Inc.	Clare
LAA710	文件：122.25 Kbytes Page：7 Pages	DualSingle-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay	IXYS IXYS Corporation	IXYS
LAA710S	文件：181.58 Kbytes Page：6 Pages	DualPoleOptoMOSRelays	Clare Clare, Inc.	Clare
LAA710S	文件：122.25 Kbytes Page：7 Pages	DualSingle-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF710B
功能描述：
MOSFET 400V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF710B	onsemi(安森美)	23+	TO-220	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRF710B	仙童	06+	TO-220	5000	原裝	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF710B	IR	15+	TO-220	11560	全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF710B	IR/ST/仙童	23+	TO-220	3000	全新原裝	詢價(jià)
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IRF710B	fsc	24+	N/A	6980	原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF710B	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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深圳市正邁科技有限公司	IRF710B	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	31593	原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢庫存	詢價(jià)
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更多IRF710B供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 17:47:00

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