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IRF7341PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF7341PBF
廠(chǎng)商型號(hào)

IRF7341PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

158.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 23:00:00

IRF7341PBF規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Generation V Technology

Ultra Low On-Resistance

Dual N-Channel Mosfet

Surface Mount

Available in Tape & Reel

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF7341PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
100
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢(xún)價(jià)
IR
2020+
SOP-8
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢(xún)價(jià)
IR
24+
SOIC8
58000
全新原廠(chǎng)原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
詢(xún)價(jià)
IR
24+
65230
詢(xún)價(jià)
IR
SO-8
35500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢(xún)價(jià)
IR
SOP8
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢(xún)價(jià)
IR
22+
SOP-8
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)
IR
24+
SOP-8
49
只做原廠(chǎng)渠道 可追溯貨源
詢(xún)價(jià)
IR
22+
SOP-8
12596
原裝正品現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
IR
19+
SOP8
74634
原廠(chǎng)代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠(chǎng);
詢(xún)價(jià)