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IRF830中文資料TRSYS數據手冊PDF規(guī)格書

IRF830
廠商型號

IRF830
功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
文件大小

282.47 Kbytes
頁面數量

3 頁
生產廠商 Transys Electronics
企業(yè)簡稱

TRSYS

中文名稱

Transys Electronics官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-4-30 16:29:00
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IRF830規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor

N?Channel Enhancement Mode

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds

? Low RDS(on) to Minimize On?Losses, Specified at Elevated

Temperature

? Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

? Source?to?Drain Diode Characterized for Use with Inductive Loads

產品屬性

  • 型號：

    IRF830

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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