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Power Field Effect Transistor
N?Channel Enhancement Mode
? Silicon Gate for Fast Switching Speeds
? Low RDS(on) to Minimize On?Losses, Specified at Elevated
Temperature
? Rugged — SOA is Power Dissipation Limited
? Source?to?Drain Diode Characterized for Use with Inductive Loads
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF830
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
18689 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
10065 |
原裝正品,有掛有貨,假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
9000 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
21+ |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
87 |
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣(mài)中!! |
詢(xún)價(jià) | ||||
IR |
23+ |
TO220 |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
20000 |
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2023+ |
TO-220 |
4835 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) |
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