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IRF840中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF840
廠商型號(hào)

IRF840
功能描述

Power MOSFET
文件大小

248.37 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載
更新時(shí)間

2024-10-24 15:21:00

IRF840規(guī)格書詳情

FEATURES

? Dynamic dV/dt rating

? Repetitive avalanche rated

? Fast switching

? Ease of paralleling

? Simple drive requirements

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Note?

* This datasheet provides information about parts that are?

RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For?

example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.?

Please see the information / tables in this datasheet for details.

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness. ?

The TO-220AB package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220AB contribute to its

wide acceptance throughout the industry.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF840

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
SOP
2111
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存
 詢價(jià)
IR
24+
TO-220
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售
 詢價(jià)
IR
22+
TO220
8900
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ST
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TO2203
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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IR
6000
面議
19
TO-220
 詢價(jià)
IR
22+
TO-220
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
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IR
2023+
TO-220
5800
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TO-220
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保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價(jià)

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