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IRF9640	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF9640	文件：63.94 Kbytes Page：7 Pages	11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9640	文件：170.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A) VDSS=-200V RDS(on)=0.50Ohm ID=-11A	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640	文件：1.92898 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysllicongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysllicongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRF9640	文件：158.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutparts	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640	文件：272.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF9640_V02	文件：158.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutparts	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640L	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640PBF	文件：3.45318 Mbytes Page：7 Pages	Hexfet Power Mosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640PBF	文件：1.92898 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640S	文件：170.71 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640S	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640S_V01	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640SPBF	文件：979.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640_V01	文件：272.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9640L	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640L	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數

型號：
IRF9640
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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