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IRF9Z34NSTRRPBF	文件：172.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34PBF	文件：3.51124 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34PBF	文件：7.49754 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedP-Channel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34PBF	文件：2.09213 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34S	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34S	文件：334.68 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.14ohm,Id=-18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34S	文件：204.41 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surfacemount(IRF9Z34S,SiHF9Z34S) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34SPBF	文件：204.41 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34SPBF	文件：1.21157 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34SPBF	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34STRL	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34STRLPBF	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34STRLPBFA	文件：204.41 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34STRR	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34STRRPBF	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34STRRPBFA	文件：204.41 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z34G	文件：172.55 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9Z34G	文件：1.44545 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z34G	文件：814.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z34GPBF	文件：814.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF9Z34NSTRRPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	24+	TO-263	12800	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	24+	TO-263	5715	只做原裝有掛有貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	Infineon(英飛凌)	23+	D2PAK	8357	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	23+	TO-263	9896		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IOR	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	23+	TO-263	6300	專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	24+	SOT263	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	2018+	TO263	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫(kù)存放心	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRF9Z34NSTRRPBF	IR	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)

更多IRF9Z34NSTRRPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 13:42:00

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