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IRFB3207ZPBF	文件：829.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3207Z	文件：304.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS3207	文件：244.11 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS3207	文件：385 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits WorldwideBestRDS(on)inTO-220 ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitancea	IRF International Rectifier	IRF
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IRFS3207TRLPBF	文件：384.16 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3207Z	文件：284.9 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFSL3207	文件：385 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits WorldwideBestRDS(on)inTO-220 ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitancea	IRF International Rectifier	IRF
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IRFSL3207PBF	文件：383.2 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3207ZPBF	文件：829.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRF International Rectifier	IRF
JANN3207	文件：66.14 Kbytes Page：2 Pages	PELLETDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
KSM3207	文件：661.89 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KTC3207	文件：123.52 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) ?Collectorcurrent ICM:100mA ?Collector-basevoltage V(BR)CBO:300V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
KTC3207	文件：458.34 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR(HIGHVOLTAGESWITCHING,COLORTVHORIZONTALDIRVER,COLORTVCHROMAOUTPUT) HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATION. COLORTVHORIZONTALDIRVERAPPLICATION. COLORTVCHROMAOUTPUTAPPLICATION. FEATURES ?HighVoltage:V(BR)CEO=300V. ?SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=3.0pF(Typ.).	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC3207	文件：4.23191 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltage ●SmallCollectorOutputCapacitance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFB3207ZPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市富利微電子科技有限公司	IRFB3207ZPBF	IR	23+	TO-220	13890	保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司	IRFB3207ZPBF	INFINEON/IR	1907+	NA	200	20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFB3207ZPBF	Infineon Technologies	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
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更多IRFB3207ZPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 18:02:00

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