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IRFB3206GPBF	文件：301.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3206PBF	文件：430.8 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching ●HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●En	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3206	文件：335.65 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP3206PBF	文件：302.7 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3206PBF	文件：296.95 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3206	文件：244.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS3206PBF	文件：329.22 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFSL3206PBF	文件：430.8 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching ●HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●En	IRF International Rectifier	IRF
JANN3206	文件：66.14 Kbytes Page：2 Pages	PELLETDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
KNB3206A	文件：205.82 Kbytes Page：7 Pages	110A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
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KTC3206	文件：438.75 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR(BLACKANDWHITETVVIDEOOUTPUT,HIGHVOLTAGESWITCHING) BLACKANDWHITETVVIDEOOUTPUTAPLICATION. HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?HighBreakdownVoltage:VCEO=150V(Min.). ?LowOutputCapacitance:Cob=5.0pF(Max.). ?HighTransitionFrequency:fT=120MHz(Typ.).	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC3206	文件：810.13 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC3206	文件：4.99483 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE ●HighBreakdownVoltage:VCEO=150V(Min.) ●LowOutputCapacitance:Cob=5.0pF(Max.) ●HighTransitionFrequency:fT=120MHz(Typ.).	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
KTC3206	文件：1.10049 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,lowoutputcapacitance,hightransitionfrequency. Applications B/WTVvideooutput,highvoltageswitchingapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
KTC3206-O	文件：1.47004 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFB3206GPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市納艾斯科技有限公司	IRFB3206GPBF	IR	2020+	TO-220	8000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
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深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFB3206GPBF	INFINEON/英飛凌	2021+	TO-220	12000	勤思達(dá) 只做原裝現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRFB3206GPBF	INFINEON/英飛凌	2021+	TO-220	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFB3206GPBF	Infineon(英飛凌)	23+	TO-220	8498	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
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更多IRFB3206GPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 22:30:00

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