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IRFB4310PBF	文件：381.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?Power MOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFB4310Z	文件：338.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB4310Z	文件：838.67 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free Halogen-Free VDS=100V ID=120A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRFB4310ZGPBF	文件：296.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPo	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：319.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFL4310	文件：313.03 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：662.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.20廓,ID=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TR	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：1.79548 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFP4310Z	文件：336.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP4310ZPBF	文件：299.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4310ZPBF	文件：305.33 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFB4310PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司	IRFB4310PBF	INFINEON	23+		22000	原裝正品	詢價
深圳市富利微電子科技有限公司	IRFB4310PBF	IR	23+	TO-220	20540	保證進口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	IRFB4310PBF	IR	24+	TO-220	15000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市安博威科技有限公司	IRFB4310PBF	INFINEON/IR	18+/19+	TO-220-3	4400		詢價
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司	IRFB4310PBF	INFINEON/IR	1907+	NA	3000	20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRFB4310PBF	Infineon Technologies	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市榮澤信電子科技有限公司	IRFB4310PBF	IR	24+	TO-220	15000	全新原裝的現(xiàn)貨	詢價
深圳市龍瀚電子有限公司	IRFB4310PBF	IR	16+	TO-220	6145	全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2	詢價
深圳市賽爾通科技有限公司	IRFB4310PBF	IR	23+	TO-220	65400		詢價
深圳市賽芯源科技有限公司	IRFB4310PBF	IR	2020+	TO-220	32000	原裝正品,誠信經(jīng)營。	詢價

更多IRFB4310PBF供應商更新時間2024-12-23 8:01:00

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