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IRFB4229PBF	文件：229.11 Kbytes Page：8 Pages	PDP SWITCH Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSERatingtoReducePowerDissipationinPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowQGforFastResponse ●HighRepetitivePeakCurren	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4229PBF	文件：298.01 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4229PBF_15	文件：298.01 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4229	文件：260.76 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI4229PBF	文件：251.4 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4229PBF	文件：612.99 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFI4229PBF	文件：685.56 Kbytes Page：8 Pages	PDPSWITCH Features 1.AdvancedProcessTechnolgy 2.HighRepetitivePeakCurrentCapabilityforReliableOperation	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4229	文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP4229PBF	文件：306.73 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4229PBF	文件：282.92 Kbytes Page：8 Pages	PDPSWITCH Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain, EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSERatingtoReducePower DissipationinPDPSustain,EnergyRecovery andPassSwitchApplications ●LowQGforFastResponse ●HighRepetitive	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4229	文件：188.86 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS4229PBF	文件：239.28 Kbytes Page：9 Pages	PDPSWITCH Features AdvancedProcessTechnology KeyParametersOptimizedforPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications LowEPULSERatingtoReducePowerDissipationinPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications LowQGforFastResponse HighRepetitiveP	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4229PBF	文件：316.46 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4229PBF	文件：316.46 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4229TRLPBF	文件：316.46 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4229PBF	文件：280.86 Kbytes Page：8 Pages	HighRepetitivePeakCurrentCapabilityforReliableOperation	IRF International Rectifier	IRF
LTC4229	文件：1.32594 Mbytes Page：22 Pages	MicropowerHotSwapController	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC4229	文件：563.45 Kbytes Page：24 Pages	DualIdealDiode-ORandSingleHotSwapControllerwithCurrentMonitor	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC4229	文件：496.29 Kbytes Page：22 Pages	Dual12VIdealDiode-ORandSingleHotSwapControllerwithCurrentMonitor	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC4229	文件：277.42 Kbytes Page：8 Pages	SingleIdealDiodeandHotSwapController	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFB4229PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市富利微電子科技有限公司	IRFB4229PBF	IR	23+	TO-220	20540	保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司	IRFB4229PBF	INFINEON/IR	1907+	NA	2700	20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長期供貨	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	IRFB4229PBF	INFINEON	22+	?TO-220	7000	原裝正品可支持驗(yàn)貨,歡迎咨詢	詢價(jià)
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深圳市賽爾通科技有限公司	IRFB4229PBF	IR	23+	TO-220	65400		詢價(jià)
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深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IRFB4229PBF	INFINEON/IR	21+	NA	700	只做原裝,假一罰十	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRFB4229PBF	IR	2021+	TO-220	9450	原裝現(xiàn)貨。	詢價(jià)

更多IRFB4229PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 22:38:00

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