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IRFI9Z34G

Power MOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9Z34G

HEXFET POWER MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI9Z34G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9Z34G_V01

Power MOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9Z34GPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9Z34GPBF

HEXFET POWER MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI9Z34GPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9Z34N

HEXFETPowerMOSFET(-55V,0.1ohm,-14A)

IRF

International Rectifier

IRFI9Z34NPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

KSM9Z34

AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFI9Z34G

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 12 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
17+
TO-220FULLPAK(ISO)
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IR
24+
TO 220F
161026
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IR
2015+
TO-220F
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
 詢價
IR
23+
TO-220F
9896
詢價
IR
24+
TO-220
7400
詢價
IR
2016+
TO-220F
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
750
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
IR
05+
原廠原裝
19401
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
IR
2020+
TO220
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
IR
23+
TO220
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
更多IRFI9Z34G供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 14:00:00

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