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IRF9640S	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9640S	文件：170.71 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)	IRF International Rectifier	IRF
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IRF9640S	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640S	文件：372.86 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9640S_V01	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9640SPBF	文件：979.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640STRL	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9640STRLPBF	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9640	文件：169.14 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9640G	文件：169.14 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9640G	文件：1.6845 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9640G	文件：1.66467 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9640G	文件：883.19 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9640GPBF	文件：1.26811 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9640GPBF	文件：1.6845 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
KRF9640S	文件：75.85 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
PE9640	文件：248.96 Kbytes Page：3 Pages	PrecisionBulkhead2.4mmFemaleto2.4mmFemaleAdapter	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
SC9640P	文件：649.71 Kbytes Page：10 Pages	CDDIGITALSERVOSIGNALPROCESSORWITHMCU(SLAVEMODE)	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SFI9640	文件：263.5 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-200V RDS(on)=0.5W ID=-11A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=-200V ●LowRDS(ON):0.344W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF9640S
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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