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IRF9Z14PBF	文件：257.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.50廓 , ID = -6.7A )	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z14PBF	文件：1.64611 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF9Z14PBF	文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14PBF-BE3	文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14S	文件：361.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z14S	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14S	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) ?Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14SPBF	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14SPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRL	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRLPBF	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRLPBFA	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z14STRRPBF	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z14G	文件：184 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9Z14G	文件：1.52458 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z14G	文件：861.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z14GPBF	文件：1.52458 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SFP9Z14	文件：252.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175°COperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.362?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFP9Z14	文件：281.33 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SFS9Z14	文件：271.65 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IRF9Z14PBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF9Z14PBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市大聯(lián)智電子有限公司	IRF9Z14PBF	IR	21+	TO-220	34000	原裝現(xiàn)貨,一站式配套	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF9Z14PBF	IR	24+	TO-220	4000	原裝原廠代理可免費送樣品	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF9Z14PBF	VISHAY(威世)	23+	TO-220	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市弘為電子有限公司	IRF9Z14PBF	VISHAY/IR	16+	原廠封裝	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRF9Z14PBF	VIS	23+	TO-220AB	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRF9Z14PBF	VISHAY	23+	TO220AB	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	IRF9Z14PBF	IR	17+	TO-220	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市達恩科技有限公司	IRF9Z14PBF	Vishay	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF9Z14PBF	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價

更多IRF9Z14PBF供應(yīng)商更新時間2025-1-8 18:11:00

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