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IRF9Z24STRR中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRF9Z24STRR規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
? Advanced Process Technology
? Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)
? Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L)
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching
? P-Channel
? Fully Avalanche Rated
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF9Z24STRR
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
95+ |
TO-263 |
723 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
TH/韓國太虹 |
2048+ |
TO-263 |
9851 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
1297 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
IR |
2021+ |
TO-263 |
100500 |
一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO-263 |
26927 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VishayIR |
24+ |
TO-263 |
4800 |
詢價(jià) | |||
INTERNATIONA |
05+ |
原廠原裝 |
24216 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
