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IRFBE30中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFBE30
廠商型號

IRFBE30
功能描述

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
文件大小

167.56 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 16:10:00
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IRFBE30規(guī)格書詳情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

O Dynamic dv/dt Rating

O Repetitive Avalanche Rated

O Fast Switching

O Ease of Paralleling

O Simple Drive Requirements

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFBE30

  • 功能描述：

    MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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22+
TO-220
5000
全新原裝現(xiàn)貨!自家?guī)齑?
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公司新到進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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