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IRFD224

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)

VDSS=250V RDS(on)=1.1? ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca

IRF

International Rectifier

IRFD224

Power MOSFET

VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFD224

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?ForautomaticInsertion ?Endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFD224_V01

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?ForautomaticInsertion ?Endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFD224PBF

Power MOSFET

VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness

VishayVishay Siliconix

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IRFD224PBF

HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 250V , RDS(on) = 1.1廓 , ID = 0.63A)

VDSS=250V RDS(on)=1.1? ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca

IRF

International Rectifier

IRFD224PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

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IRFM224B

250VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRFR224

PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=1.1ohm,Id=3.8A)

IRF

International Rectifier

IRFR224

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderigtechniques.Thestr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFD224

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRFD224供應商 更新時間2025-2-14 10:32:00

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