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IRFD310中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFD310
廠商型號(hào)

IRFD310

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.25725 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 23:00:00

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IRFD310規(guī)格書(shū)詳情

VDS (V) 400

RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 3.6

Qg (Max.) (nC) 17

Qgs (nC) 3.4

Qgd (nC) 8.5

Configuration Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serveres as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD310

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY(威世)
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