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IRFD9210中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFD9210
廠商型號

IRFD9210

功能描述

Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-0.40A)

文件大小

171.48 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-8 18:38:00

IRFD9210規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? P-Channel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFD9210

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
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房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
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