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IRFM350	文件：203.26 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) PartNumberRDS(on)ID IRFM3500.315?14A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransis	IRF International Rectifier	IRF
IRFM350	文件：244.38 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM350	文件：20.74 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM350_15	文件：244.38 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：212.67 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=400V,Rds(on)=0.315ohm,Id=14A) RDS(on)0.315? ID14A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establi	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：276.84 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：57.28 Kbytes Page：7 Pages	16A,400V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP350	文件：161.9 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP350	文件：1.56932 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350	文件：637.84 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP350	文件：1.5891 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRFP350	文件：1.61166 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350	文件：877.55 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350A	文件：232.47 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=400V ?LowRDS(ON):0.254?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP350A	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=17A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350FI	文件：70.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350LC	文件：333.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFM350
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 14A 3PIN TO-254AA - Bulk
功能描述：
Single N-Channel 400 V 150 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-254AA
功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 14A, TO-254AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
14A; Drain Source Voltage
Vds：
400V; On Resistance
Rds(on)：
315mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
3;RoHS
Compliant：
No

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市賽芯源科技有限公司	IRFM350	IR	2021+	TO-254AA	2220	原裝正品，誠信經(jīng)營。假一賠十	詢價(jià)
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFM350	IR	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFM350	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFM350	IR	24+	SMD	1680	IR專營品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFM350	IR	18+	TO-257	200	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRFM350	IR	專業(yè)軍工	NA	1000	只做原裝正品軍工級部分訂貨	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	IRFM350	IR	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	IRFM350	IR			638	原裝正品	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRFM350	IR	23+	TO-257	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	IRFM350	IR	24+	TO254AA	240	現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)

更多IRFM350供應(yīng)商更新時(shí)間2022-6-12 10:12:00

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