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IRFN440	文件：213.9 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) RDS(on)0.85? ID8.0A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establi	IRF International Rectifier	IRF
IRFN440	文件：184.27 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN440_15	文件：184.27 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP440	文件：164.11 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.8A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP440	文件：56.67 Kbytes Page：7 Pages	8.8A,500V,0.850Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP440	文件：1.44738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP440	文件：619.59 Kbytes Page：2 Pages	Dynamicdv/dtRating TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmountinghole.Italsoprovidesgreatercreepageoisiancebetweenpinstcme	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP440	文件：836.4 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP440A	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP440B	文件：689.14 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP440PBF	文件：930.67 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP440PBF	文件：1.44738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP440R	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS440	文件：265.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS440A	文件：222.67 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowreMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ?LowerRDS(ON):0.638?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS440A	文件：64.65 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS440B	文件：687.3 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFY440	文件：14.29 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY440	文件：135.77 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY440C	文件：15.6 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFN440
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 500V 8A 3SMD-1 - Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFN440	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	IRFN440	CHINA	22+	SMD-1	640	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFN440	IR	22+	N/A	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	IRFN440	INFINEON	23+	C-CCN-3	14253	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFN440	IR	23+	N/A	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFN440	IR	23+	N/A	7000		詢價(jià)
綠盛電子(香港)有限公司	IRFN44N	IR	2015+	SOP/DIP	19889	一級代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市錦喆鴻電子有限公司	IRFN450	IR	21+	SMD-1	12588	原裝正品,自己庫存假一罰十	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	IRFN450	IR	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市藍(lán)山航業(yè)科技有限公司	IRFN450		24+	長期備有現(xiàn)貨	500000	行業(yè)低價(jià),代理渠道	詢價(jià)

更多IRFN440供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 10:08:00

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