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IRFP350_V02

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

INA350_V02

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

1Features ?Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns ?Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) ?Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 ?Op

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

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更多IRFP350_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 10:32:00