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IRFR220A	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR220A	文件：321.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR220B	文件：665.75 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR220B	文件：596.55 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-Channelenhancementmodepowerfieldeffect transistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance,andw	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
IRFR220BTM	文件：1.43474 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=200V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR220N	文件：132.73 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=600mohm,Id=5.0A) Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalSMPSTopologies ●T	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220N	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR220N	文件：3.73907 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220N	文件：1.03454 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,6.0A,0.65 Application Load/PowerSWwitching InterfacingSwitching BatteryManagementforUltraSmallPortable Electronics LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFR220NPBF	文件：220.96 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NPBF	文件：3.83872 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220NPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NTRLPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NTRPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NTRR	文件：3.83872 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220NTRRPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220PBF	文件：1.85874 Mbytes Page：11 Pages	HEXFEPPowerMOSFET HEXFEP?PowerMOSFETVdss=200VRDS(on)=0.80?ID=4.8A	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220PBF	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR220PBF	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR220A
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | TO-252AA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	IRFR220A	IR	06+	TO-252	15000	原裝庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFR220A	IR	23+	原廠原裝	3000	全新原裝	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFR220A	IRF	2020+	TO252	404	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFR220A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFR220A	FAIRCHILD	1822+	TO-252	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
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深圳市納艾斯科技有限公司	IRFR220A	FSC	2020+	TO-252	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
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更多IRFR220A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 10:31:00

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