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IRFR430A	文件：267.41 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamic dV/dtruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR430A_V01	文件：267.41 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamic dV/dtruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR430B	文件：674.37 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFR430A	文件：118.1 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR430A	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：307.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR430APBF	文件：298.83 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR430APBF	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR430APBF	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430APBF	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430APBF	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430APBF	文件：267.4 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR430ATR	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR430ATRA	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430ATRA	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430ATRA	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR430
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFR430A	IR	24+	TO-252	215	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRFR430A	FAIRCHILD/仙童	24+	TO 252	154862	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
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深圳市一線半導體有限公司	IRFR430A	IR	24+	TO252	116426		詢價
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更多IRFR430供應商更新時間2025-1-13 16:36:00

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