IRFR5505中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFR5505 |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A) |
| 文件大小 |
108.01 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-19 13:10:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR5505
- 功能描述：
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2402+ |
TO252 |
8324 |
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詢價(jià) | ||
IR |
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SOT252 |
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INFINE0N |
21+ |
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IR |
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IR |
TO-252 |
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15 |
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IR |
22+ |
TO252 |
12000 |
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IR |
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TO-252 |
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IR |
22+ |
TO252 |
28278 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
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IR |
22+ |
原廠封裝 |
15850 |
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
詢價(jià) |
