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IRFU12N25D

SMPS MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFU12N25DPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26廓 , ID = 14A )

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRFU12N25DPBF

SMPS MOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU12N25DPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFU12N25DPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

12N25

12A,250VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

12N25V

12A,250VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

IRFR12N25D

SMPSMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=250V,RDS(on)max=0.26廓,ID=14A)

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DPBF

SMPSMOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR12N25DTRPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFU12N25D

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
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原廠原裝
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只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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更多IRFU12N25D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 10:32:00

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