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IRFY130	文件：18.73 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
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IRFY130C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130C	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
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IRFY130CM	文件：338.54 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=14.4A) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
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IRFY130M	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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IRKT130	文件：1.46026 Mbytes Page：5 Pages	POWERMODULE	IRI Information Resources, Inc. IRI	IRI
IRLR130A	文件：268.3 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=13A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLR130A	文件：320.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLRU130A	文件：267.22 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLU130A	文件：268.3 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=13A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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IS130	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS130	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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詳細參數(shù)

型號：
IRFU130ATU
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel A-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFU130ATU	onsemi(安森美)	23+	IPAK	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFU130ATU	FAIRCHILD	24+	TO-251	5000		詢價
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更多IRFU130ATU供應(yīng)商更新時間2024-11-16 16:12:00

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