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IRFZ34NLPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFZ34NLPBF
廠商型號(hào)

IRFZ34NLPBF
功能描述

HEXFET Power MOSFET
文件大小

296.19 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 22:30:00

IRFZ34NLPBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRFZ34NS)

● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFZ34NLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
2020+
TO-262
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
IR
0928+
TO220
38
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
IR
23+
TO-262
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
2016+
TO-262
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
TO-262
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
IR
24+
TO-262-3
285
詢價(jià)
IR
23+
TO220
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IR
23+
TO-262
4389
原廠原裝正品
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)

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